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Este transistor de grafeno podría permitir una velocidad de 100 GHz
Conociendo el Grafeno - Grafeno...el Futuro
Miércoles 25 de Mayo de 2016 20:08

 

Un equipo de científicos del Instituto de Física y Tecnología de Moscú (Rusia) y de la Universidad de Tohoku en Japón ha desarrollado un transistor a base de grafeno que ha demostrado tener un consumo de energía mucho más bajo que otros dispositivos similares. Gracias a esto, la velocidad de reloj de los procesadores se podría incrementar hasta alcanzar los 100 GHz.

La construcción de transistores que puedan funcionar a bajo voltajes bajos (menos de 0,5 voltios) es uno de los retos de la electrónica moderna. Esto es debido a que a una potencia menor, los componentes electrónicos se calientan menos, de forma que son capaces de funcionar a una velocidad de reloj más alta.

Los transistores de efecto túnel son una de las alternativas más prometedoras para conseguir una reducción en el consumo de energía y un incremento de la velocidad de reloj. A diferencia de los transistores convencionales, donde los electrones "saltan" por encima de la barrera de energía, en los de efecto túnel los electrones se "filtran"como consecuencia del efecto de túnel cuántico.

Sin embargo, en la mayoría de semiconductores la corriente del efecto túnel es muy pequeña y ello impide que los transistores basados en estos materiales se utilicen en los circuitos reales.

 

 

 
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